نتایج جستجو برای: اکسید ایندیم قلع

تعداد نتایج: 11671  

ژورنال: :علوم و مهندسی سطح ایران 0

در این کار تجربی لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع  (ito) با ترکیب های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای نهشته شدند. لایه ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای cْ450 تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع با تغییر غلظت آن از 5 تا wt%40 بر روی خواص ساختاری و اپتیک...

در این کار تجربی لایه‌های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع  (ITO) با ترکیب‌های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه‌های شیشه‌ای نهشته شدند. لایه‌ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای Cْ450 تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع با تغییر غلظت آن از 5 تا wt%40 بر روی خواص ساختاری و اپتیک...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شاهرود - دانشکده فنی 1391

در تحقیق حاضر سنتز و بررسی خواص نانوساختارهای اکسید قلع ایندیم (ito) به روش شیمیایی تر مورد مطالعه قرار گرفته است. نانوذرات اکسید قلع ایندیم با استفاده از نمک های کلرید قلع و کلرید ایندیم و عامل رسوب دهنده آمونیاک به دو روش سل – ژل و هم رسوبی تهیه شدند. با استفاده از روش سل – ژل نانوذرات اکسید قلع ایندیم در دماهای مختلف سنتز شدند و تاثیر تغییر دما بر نانوذرات سنتز شده مورد بررسی قرار گرفت. در ر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم پایه 1391

هدف این پروژه تهیه فیلم های لایه نازک نانوساختار ito:m (m=tio2,zro2) به روش سل ژل و با تکنیک غوطه وری و سپس بررسی خواص اپتیکی و الکتریکی آن ها می باشد. بنابرین پروژه شامل سه مرحله می باشد. مرحله اول ،تهیه فیلم مناسبی از ito، مرحله دوم تهیه سل tio2 و zro2 و سپس لایه نشانی آن ها روی فیلم ito اولیه و مرحله سوم، بررسی تاثیر این فیلم ها روی خواص ساختاری و الکتریکی ito است. برای تهیه سل ito مناسب، از...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1388

لایه­های نازک اکسیدی فلزی مانند اکسید ایندیم آلاییده با قلع (ito) دارای ویژگی­های منحصربفردی از قبیل رسانندگی خوب، تراگسیلندگی اپتیکی بالا در ناحیه مرئی، چسبندگی عالی به زیرلایه، پایداری شیمیایی و خواص فوتوشیمیایی هستند. این خواص از رفتار نیمرسانای تبهگن نوع n و گاف باندی پهن آنها ناشی می­شود. بنابراین لایه­های نازک ito به طور گسترده در سلول­های خورشیدی، ابزارهای فوتوولتائیک، نمایشگرهای صفحه تخ...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 2015
احسان پارسیان پور مجتبی روستائی فریدون سموات جهانگیر جعفری رحمان بهرام سهرابی

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (xrd) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1393

در این پایان نامه، به منظور بررسی ویژگی های اکسید روی و اکسید روی آلاییده شده با آلومینیوم، شبیه سازی اتمی ساختار بلوری اکسید روی به کمک کد siesta انجام شد. سپس به رشد نانومیله های اکسید روی به روش حمام شیمیایی بر روی زیرلایه های azo و ito/zno پرداخته شد. رشد در دمای ? 85 با غلظت محلول 24 میلی مولار به مدت 15 دقیقه، نانومیله هایی با نسبت طول به قطر به ترتیب 100 به 50 نانومتر را نتیجه داد که با ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1393

دراین کار تحقیقاتی، اثر ماده افزودنی گالیم اکسید بر خواص و رفتار حسگری نانو کامپوزیت آن با قلع دی اکسید، روی اکسید و ایندیم اکسید بررسی شد. هم چنین اثر افزودنی های فریک اکسید و کبالت (ii) اکسید بر خواص و رفتار فوتوکاتالیستی نانوساختار های گالیم اکسید بررسی شد. نانوکامپوزیت ها با استفاده از روش ساده هم رسوبی سنتز شدند و با روش های xrd، bet، edx، pl، drs uv-vis، pzc، sem و tem شناسایی شدند. در بخ...

ژورنال: علوم و فناوری رنگ 2013

در این تحقیق، ماده نورتاب سولفید روی با دوپنت نقره (ZnS:Ag) بر روی شیشه اکسید قلع ایندیم (ITO) به روش الکتروفورزیس جریان مستقیم (DC-EPD) پوشش‌دهی شدند. آزمایش‌ها نشان داد که چگالی جریان عامل مهمی در این لایه‌نشانی می‌باشد و باید در محدوده mA/cm2 0.22-0.11 قرار بگیرد تا علاوه بر جلوگیری از تخریب لایه ITO، پوششی با کیفیت مناسب حاصل شود. سه عامل مهمی که بر چگالی جریان تاثیر داشتند یعنی افزودنی، زم...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1392

در این پروژه با لایه نشانی اکسید فلزی ito خواص نوری و الکتریکی، ساختار لایه ای، خواص عمومی و ساختار کریستالی، ویژگی های اپتیکی این لایه مورد بررسی قرار گرفته است. زیر لایه ito با استفاده از کندوپاش rf در محیط گاز آرگون و بدون گرمادهی به زیر لایه، به مدت 10 دقیقه با هدف نقره لایه نشانی شده است. پس از آن خواص فیزیکی این اکسید فلزی با استفاده از روش های کریستالوگرافی بررسی شده است. آنالیز میکروسکو...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید